SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU），雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash，HBF）技術規範，並推動標準化，為記憶體市場注入新變數。

HBF 最大的突破，在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成，而是引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層，使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的 8~16 倍，同時保有高速讀取能力。雖然存取延遲略遜於純 DRAM，但在需要長時間維持大型模型資料的 AI 推論與邊緣運算場景中，HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力，展現不同的優勢。

（Source：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的 BiCS NAND 與 CBA 技術，將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊，實現高頻寬、低延遲且高密度的互連。

雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心，但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢，成為未來 NAND 重要發展方向之一，並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局。

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，首批搭載該技術的 AI 推論硬體預定 2027 年初問世。業界預期，憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的緊密合作關係，HBF 一旦完成標準制定，有望快速獲得市場採用。

• Sandisk and SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源：Sandisk）

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